Composition for forming gate insulating layer of organic thin-film transistor and organic thin film transistor using the same
WO2007129832
Art A1
15. November 2007
Anmelder: LG Chem, Ltd. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007129832
- Aktenzeichen
- EP07746331
- Anmeldetag
- 3. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 15. November 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LG Chem, Ltd.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
LG Chem
Südkoreanisches Chemieunternehmen, das Batteriematerialien, Kunststoffe, petrochemische Produkte und pharmazeutische Wirkstoffe herstellt.
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