Method of fabricating reduced subthreshold leakage current submicron nfet's with high iii/v ratio material

WO2007130148 Art A2 15. November 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007130148
Aktenzeichen: EP06851178
Anmeldetag: 13. November 2006
Veröffentlichung: 15. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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