A transistor having a channel with tensile strain and oriented along a crystallographic orientation with increased charge carrier mobility
WO2007130240
Art A1
15. November 2007
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007130240
- Aktenzeichen
- EP07754374
- Anmeldetag
- 29. März 2007
- Veröffentlichung
- 15. November 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L29/04H01L29/78H01L21/8238H01L21/336H01L29/24H01L29/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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