An soi transistor having an embedded strain layer and a reduced floating body effect and a method for forming the same
WO2007130241
Art A1
15. November 2007
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC., Advance Micro Devices, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007130241
- Aktenzeichen
- EP07774169
- Anmeldetag
- 29. März 2007
- Veröffentlichung
- 15. November 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336H01L29/10H01L29/78H01L21/762H01L21/84H01L29/786
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
Advance Micro Devices, Inc. - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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Fachgebiete
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