Mimicking Program Verify Drain Resistance in A Memory Device

WO2007130556 Art A2 15. November 2007

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007130556
Aktenzeichen: EP07776727
Anmeldetag: 4. Mai 2007
Veröffentlichung: 15. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/34G11C16/04G11C16/12

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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