Quantum cascade surface emitting semiconductor laser device and method of manufacturing a semiconductor laser device

WO2007132425 Art A1 22. November 2007

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007132425
Aktenzeichen: EP07735896
Anmeldetag: 14. Mai 2007
Veröffentlichung: 22. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01S5/18H01S5/183H01S5/34

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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