Igbt transistor with protection against parasitic component activation and manufacturing process thereof

WO2007132483 Art A1 22. November 2007

Anmelder: STMicroelectronics Srl 🇮🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007132483
Aktenzeichen: EP06756287
Anmeldetag: 11. Mai 2006
Veröffentlichung: 22. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/739H01L21/331H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics Srl
Land: 🇮🇹 Italien

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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