Photoresist stripping chamber and methods of etching photoresist on substrates
WO2007133413
Art A2
22. November 2007
Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007133413
- Aktenzeichen
- EP07756047
- Anmeldetag
- 25. April 2007
- Veröffentlichung
- 22. November 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/26B44C1/22H01L21/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Lam Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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