Methods and materials for growing iii-nitride semiconductor compounds containing aluminum

WO2007133512 Art A2 22. November 2007

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007133512
Aktenzeichen: EP07776841
Anmeldetag: 8. Mai 2007
Veröffentlichung: 22. November 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G01F1/84G01F25/00

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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