Selective Uniaxial Stress Relaxation By Layout Optimization in Strained Silicon On Insulator Integrated Circuit

WO2007133870 Art A2 22. November 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2007133870
Aktenzeichen
EP07760487
Anmeldetag
11. April 2007
Veröffentlichung
22. November 2007
Rechtsraum
WO
IPC
A47D5/00A47D9/04
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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