Array configuration for dram memory with double-gate floating-body finfet cells

WO2007138517 Art A1 6. Dezember 2007

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007138517
Aktenzeichen: EP07735938
Anmeldetag: 16. Mai 2007
Veröffentlichung: 6. Dezember 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/404H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.818 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von