Nonvolatile memory element, its manufacturing method, and semiconductor device using the nonvolatile memory element
WO2007138646
Art A1
6. Dezember 2007
Anmelder: Hitachi, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007138646
- Aktenzeichen
- EP06746847
- Anmeldetag
- 25. Mai 2006
- Veröffentlichung
- 6. Dezember 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/10H01L49/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Hitachi, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Hitachi
Japanischer Konzern, der Technik für Energie, Bahn, Industrieanlagen, Informationstechnik und Haushaltsgeräte entwickelt und herstellt.
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