Semiconductor device

WO2007138991 Art A1 6. Dezember 2007

Anmelder: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007138991
Aktenzeichen: EP07744089
Anmeldetag: 18. Mai 2007
Veröffentlichung: 6. Dezember 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/41G11C16/02H01L21/822H01L21/8234H01L21/8244H01L27/04H01L27/06H01L27/10H01L27/11H01L29/786

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Semiconductor Energy Laboratory

Japanisches Forschungsunternehmen mit Sitz in Atsugi. Semiconductor Energy Laboratory (SEL) forscht an Halbleitertechnologien, Flüssigkristall- und OLED-Displays sowie Dünnschichttransistoren.

4.187 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von