Plasma cvd method, method for forming silicon nitride film, method for manufacturing semiconductor device and plasma cvd method

WO2007139142 Art A1 6. Dezember 2007

Anmelder: Tokyo Electron Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007139142
Aktenzeichen: EP07744390
Anmeldetag: 30. Mai 2007
Veröffentlichung: 6. Dezember 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31C23C16/34C23C16/511H01L21/318H01L21/8247H01L27/115H01L29/78H01L29/788H01L29/792

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Tokyo Electron Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

2.414 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von