Apparatus and method of forming a mosfet with atomic layer deposited gate dielectric
WO2007142894
Art A2
13. Dezember 2007
Anmelder: Purdue Research Foundation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007142894
- Aktenzeichen
- EP07795377
- Anmeldetag
- 25. Mai 2007
- Veröffentlichung
- 13. Dezember 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Purdue Research Foundation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Purdue Research Foundation
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