Residue Free Hardmask Trim

WO2007143585 Art A2 13. Dezember 2007

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007143585
Aktenzeichen: EP07798034
Anmeldetag: 1. Juni 2007
Veröffentlichung: 13. Dezember 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/3213H01L21/311

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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