Ion beam irradiating apparatus, and method of producing semiconductor device
WO2007145355
Art A2
21. Dezember 2007
Anmelder: Kyoto University, NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007145355
- Aktenzeichen
- EP07767128
- Anmeldetag
- 12. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01J37/317
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Kyoto University
NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Kyoto University
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