Semiconductor Magnetic Memory
WO2007146011
Art A2
21. Dezember 2007
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2007146011
- Aktenzeichen
- EP07795809
- Anmeldetag
- 6. Juni 2007
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2007
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L27/22
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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