Rf power transistor device with high performance shunt capacitor and method thereof

WO2007146899 Art A2 21. Dezember 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007146899
Aktenzeichen: EP07812106
Anmeldetag: 12. Juni 2007
Veröffentlichung: 21. Dezember 2007
Rechtsraum: WO
IPC: H01G4/228

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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