Method of multi-layer lithography

WO2007148160 Art A2 27. Dezember 2007

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2007148160
Aktenzeichen: EP06795591
Anmeldetag: 20. Juni 2006
Veröffentlichung: 27. Dezember 2007
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/09

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Optik & Fototechnik

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