Method for producing silicon carbide (sic) crystal and silicon carbide (sic) crystal obtained by the same

WO2008001786 Art A1 3. Januar 2008

Anmelder: Osaka University 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008001786
Aktenzeichen: EP07767632
Anmeldetag: 26. Juni 2007
Veröffentlichung: 3. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C01B31/36C30B9/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Osaka University
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Osaka University

Staatliche Universität in Osaka, Japan, eine der führenden Forschungsuniversitäten des Landes mit Schwerpunkten in Naturwissenschaften, Medizin und Ingenieurwesen.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Metallurgie & Oberflächentechnik

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