Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials

WO2008002443 Art A1 3. Januar 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008002443
Aktenzeichen: EP07796302
Anmeldetag: 21. Juni 2007
Veröffentlichung: 3. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von