Integrated circuit having a memory with low voltage read/write operation

WO2008002713 Art A2 3. Januar 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008002713
Aktenzeichen
EP07797245
Anmeldetag
19. April 2007
Veröffentlichung
3. Januar 2008
Rechtsraum
WO
IPC
G11C5/14
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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