Current driven switching of magnetic storage cells utilizing spin transfer and magnetic memories using such cells having enhanced read and write margins

WO2008002813 Art A2 3. Januar 2008

Anmelder: Renesas Technology Corp. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008002813
Aktenzeichen: EP07798849
Anmeldetag: 20. Juni 2007
Veröffentlichung: 3. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11C11/15

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Technology Corp.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Technology

Renesas Technology war ein japanischer Halbleiterhersteller und Vorgängerunternehmen der heutigen Renesas Electronics. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Software, ergänzt um Datenspeicher- und Schaltungstechnik. Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2009.

421 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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