Lateral trench gate fet with direct source-drain current path

WO2008002879 Art A2 3. Januar 2008

Anmelder: Fairchild Semiconductor Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008002879
Aktenzeichen: EP07784533
Anmeldetag: 25. Juni 2007
Veröffentlichung: 3. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/94H01L27/108H01L29/76H01L31/119

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fairchild Semiconductor Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor war ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der 2016 von ON Semiconductor übernommen wurde. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter- und Schaltungstechnik sowie Leistungselektronik. Die Anmeldungen stammen aus den Jahren 2000 bis 2017.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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