P-type zinc oxide thin film and method for forming the same

WO2008004657 Art A1 10. Januar 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008004657
Aktenzeichen: EP07768286
Anmeldetag: 6. Juli 2007
Veröffentlichung: 10. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/477C23C14/08C23C16/40C23C16/56C30B23/02C30B23/08C30B25/02C30B29/16C30B33/02H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

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