Method of forming vanadium trioxide thin film showing abrupt metal-insulator transition

WO2008004787 Art A1 10. Januar 2008

Anmelder: Electronics and Telecommunications Research Institute 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008004787
Aktenzeichen: EP07768544
Anmeldetag: 29. Juni 2007
Veröffentlichung: 10. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C01G31/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Electronics and Telecommunications Research Institute
Land: 🇰🇷 Südkorea

🇰🇷 ETRI (Electronics and Telecommunications Research Institute)

Südkoreanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Daejeon. Forscht in Telekommunikation, Halbleitertechnik, künstlicher Intelligenz, Rundfunktechnik und Informations- und Kommunikationstechnologien.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe

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