Gate dielectric materials for group iii-v enhancement mode transistors

WO2008005378 Art A2 10. Januar 2008

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008005378
Aktenzeichen: EP07810086
Anmeldetag: 28. Juni 2007
Veröffentlichung: 10. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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