Method for forming a semiconductor device and structure thereof

WO2008005612 Art A1 10. Januar 2008

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008005612
Aktenzeichen: EP07761183
Anmeldetag: 24. April 2007
Veröffentlichung: 10. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/117H01L31/00H01L27/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Freescale Semiconductor, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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