Semiconductor device for high frequency
WO2008007466
Art A1
17. Januar 2008
Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008007466
- Aktenzeichen
- EP07790253
- Anmeldetag
- 12. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 17. Januar 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/338H01L21/768H01L23/522H01L27/095H01L29/78H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Kabushiki Kaisha Toshiba
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Toshiba
Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.
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