Field Effect Transistor

WO2008007467 Art A1 17. Januar 2008

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008007467
Aktenzeichen: EP07790254
Anmeldetag: 12. Juli 2007
Veröffentlichung: 17. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/338H01L21/28H01L21/768H01L23/522H01L29/41H01L29/812

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Kabushiki Kaisha Toshiba
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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