Electrode connection structure of semiconductor chip, conductive member, and semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2008007617 Art A1 17. Januar 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008007617
Aktenzeichen: EP07768282
Anmeldetag: 6. Juli 2007
Veröffentlichung: 17. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/60H01L25/065H01L25/07H01L25/18

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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