Trench Field Effect Transistors

WO2008010148 Art A1 24. Januar 2008

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008010148
Aktenzeichen: EP07805097
Anmeldetag: 10. Juli 2007
Veröffentlichung: 24. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/423H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: NXP B.V.
Land: 🇳🇱 Niederlande

🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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