Hybrid rf capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency rf powers and methods of use thereof

WO2008010943 Art A2 24. Januar 2008

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008010943
Aktenzeichen: EP07810408
Anmeldetag: 13. Juli 2007
Veröffentlichung: 24. Januar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C23F1/00H01L21/302C23C16/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von