Microwave plasma source and plasma processing apparatus
WO2008013112
Art A1
31. Januar 2008
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008013112
- Aktenzeichen
- EP07791082
- Anmeldetag
- 20. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 31. Januar 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/3065C23C16/511H01L21/205H05H1/46
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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