Verfahren zur Herstellung einer Integrierten Elektronischen Schaltung mit einem Verfahren, das eine Spannungsschwelle zwischen einer Metallschicht und einem Substrat Erfordert
WO2008015640
Art A1
7. Februar 2008
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008015640
- Aktenzeichen
- EP07805275
- Anmeldetag
- 31. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/68
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Röggla, Harald
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