Method for forming a strained transistor by stress memorization based on a stressed implantation mask
WO2008016505
Art A1
7. Februar 2008
Anmelder: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008016505
- Aktenzeichen
- EP07836192
- Anmeldetag
- 24. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- H01L21/8238
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- ADVANCED MICRO DEVICES, INC.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Advanced Micro Devices
US-amerikanischer Halbleiterhersteller (AMD) mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien, bekannt für Prozessoren, Grafikchips und Server-CPUs.
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