Methods of forming carbon-containing silicon epitaxial layers
WO2008016650
Art A2
7. Februar 2008
Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008016650
- Aktenzeichen
- EP07836407
- Anmeldetag
- 31. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 7. Februar 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B25/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Applied Materials, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Applied Materials
US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.
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