Use of carbon co-implantation with millisecond anneal to produce ultra-shallow junctions

WO2008016851 Art A1 7. Februar 2008

Anmelder: Applied Materials, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008016851
Aktenzeichen: EP07840552
Anmeldetag: 27. Juli 2007
Veröffentlichung: 7. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/00H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Applied Materials, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Applied Materials

US-amerikanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Santa Clara, Kalifornien. Applied Materials entwickelt Fertigungsanlagen und Prozesstechnologien für die Halbleiter-, Display- und Solarindustrie, unter anderem für Beschichtung, Ätzen und Materialabscheidung.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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