Single crystal sic, its fabrication method, and fabrication equipment for single crystal sic

WO2008018319 Art A1 14. Februar 2008

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008018319
Aktenzeichen: EP07791651
Anmeldetag: 31. Juli 2007
Veröffentlichung: 14. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: C30B29/36C30B1/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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Fachgebiete

Metallurgie & Oberflächentechnik

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