Material for fabricating single crystal sic, method for fabricating the material, method for fabricating single crystal sic using the material, and single crystal sic obtained by the method for fabricating single crystal sic
WO2008018320
Art A1
14. Februar 2008
Anmelder: Shin-Etsu Chemical Company, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- WO2008018320
- Aktenzeichen
- EP07791652
- Anmeldetag
- 31. Juli 2007
- Veröffentlichung
- 14. Februar 2008
- Rechtsraum
- WO
- IPC
- C30B29/36C30B1/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Shin-Etsu Chemical Company, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Shin-Etsu Chemical
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.
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