Material for fabricating single crystal sic, method for fabricating the material, method for fabricating single crystal sic using the material, and single crystal sic obtained by the method for fabricating single crystal sic

WO2008018320 Art A1 14. Februar 2008

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Company, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
WO2008018320
Aktenzeichen
EP07791652
Anmeldetag
31. Juli 2007
Veröffentlichung
14. Februar 2008
Rechtsraum
WO
IPC
C30B29/36C30B1/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Shin-Etsu Chemical Company, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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