Silicon carbide semiconductor device and method for fabricating the same

WO2008018342 Art A1 14. Februar 2008

Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008018342
Aktenzeichen: EP07791757
Anmeldetag: 1. August 2007
Veröffentlichung: 14. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/28H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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