Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing the same

WO2008018432 Art A1 14. Februar 2008

Anmelder: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA, Japan Fine Ceramics Center 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008018432
Aktenzeichen: EP07792072
Anmeldetag: 7. August 2007
Veröffentlichung: 14. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/12H01L21/336H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA
Japan Fine Ceramics Center
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toyota Motor Corporation

Japanischer Automobilhersteller mit Sitz in Toyota City, gegründet 1937. Entwickelt und produziert Pkw, Nutzfahrzeuge, Hybrid- und Wasserstoffantriebe sowie zugehörige Fahrzeugtechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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