Zirconium Substituted Barium Titanate Gate Dielectrics

WO2008018994 Art A1 14. Februar 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008018994
Aktenzeichen: EP07836252
Anmeldetag: 25. Juli 2007
Veröffentlichung: 14. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G01L21/28H01L29/78H01L21/314H01L29/788H01L21/316H01L29/92H01L29/51H01L21/02C23C16/455

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von