Resistive memory device with two select transistors

WO2008020944 Art A2 21. Februar 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008020944
Aktenzeichen: EP07810539
Anmeldetag: 17. Juli 2007
Veröffentlichung: 21. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G11C16/02G11C13/00G11C7/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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