Memory device with non-orthogonal word and bit lines and manufacturing method thereof

WO2008021362 Art A1 21. Februar 2008

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008021362
Aktenzeichen: EP07836811
Anmeldetag: 14. August 2007
Veröffentlichung: 21. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/8242H01L27/02H01L23/528

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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