High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

WO2008021544 Art A2 21. Februar 2008

Anmelder: The Regents of the University of California 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008021544
Aktenzeichen: EP07837052
Anmeldetag: 20. August 2007
Veröffentlichung: 21. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L31/00

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: The Regents of the University of California
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 University of California

US-amerikanisches öffentliches Universitätssystem mit zahlreichen Standorten (u.a. Berkeley, Los Angeles, San Diego). Die Regents of the University of California halten die Patente aus Forschung in Biotechnologie, Medizin, Materialwissenschaften und Ingenieurwesen.

11.927 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von