Method of treating substrate, process for manufacturing semiconductor device, substrate treating apparatus and recording medium

WO2008023585 Art A1 28. Februar 2008

Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008023585
Aktenzeichen: EP07792404
Anmeldetag: 10. August 2007
Veröffentlichung: 28. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L21/302H01L21/3205H01L21/768H01L23/52

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Tokyo Electron Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Tokyo Electron

Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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