Mis field effect transistor and method for manufacturing the same

WO2008023738 Art A1 28. Februar 2008

Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008023738
Aktenzeichen: EP07805977
Anmeldetag: 22. August 2007
Veröffentlichung: 28. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: H01L29/786H01L21/28H01L29/12H01L29/41H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Rohm Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Rohm

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).

2.771 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von