Method of ion implantation and radiation-sensitive resin composition for use therein

WO2008023750 Art A1 28. Februar 2008

Anmelder: JSR Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: WO2008023750
Aktenzeichen: EP07792902
Anmeldetag: 16. August 2007
Veröffentlichung: 28. Februar 2008
Rechtsraum: WO
IPC: G03F7/40G03F7/004G03F7/039H01L21/027H01L21/266

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: JSR Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 JSR Corporation

JSR Corporation ist ein japanisches Chemieunternehmen, das synthetische Kautschuke sowie Materialien für die Halbleiter- und Displayindustrie herstellt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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